靈動(dòng)微MM32SPIN160C采用高性能為內(nèi)核為M0的32位微控制器，5V輸出的LDO穩(wěn)壓器、三組具備有自舉二極管的N通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。MCU的工作頻率最高可達(dá)72兆赫茲，內(nèi)置SRAM高速存儲(chǔ)器，豐富的增強(qiáng)型I/O端口和外設(shè)連接到外部總線。MM32SPIN160C產(chǎn)品包含1個(gè)12位的ADC、1個(gè)比較器、1個(gè)16位通用定時(shí)器、1個(gè)32位通用定時(shí)器、3個(gè)16位基本定時(shí)器、1個(gè)16位高級(jí)定時(shí)器。還包含標(biāo)準(zhǔn)的通信接口：1個(gè)I2C接口、1個(gè)SPI接口和1個(gè)UART接口。MM32SPIN160C產(chǎn)品提供QFN32封裝形式，該產(chǎn)品適合于三相永磁無刷電機(jī)和電動(dòng)工具等多種應(yīng)用場(chǎng)合。靈動(dòng)微電子代理廠商可提供產(chǎn)品應(yīng)用解決方案支持.
 
MM32SPIN160C特征
•內(nèi)核與系統(tǒng)
–32位ARM®Cortex®-M0處理器內(nèi)核
–最高工作頻率可達(dá)72MHz
–單指令周期32位硬件乘法器
–硬件除法器(32Bit)
–單指令周期32位硬件乘法器
•存儲(chǔ)器
–高達(dá)32K字節(jié)的閃存程序存儲(chǔ)器
–高達(dá)4K字節(jié)的SRAM
•時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理
–2.0V~5.5V供電
–上電/斷電復(fù)位（POR/PDR）、可編程電壓監(jiān)測(cè)器（PVD）
–外部2~24MHz高速晶體振蕩器
–內(nèi)嵌經(jīng)出廠調(diào)校的48/72MHz高速振蕩器
–內(nèi)嵌40KHz低速振蕩器
•低功耗
–睡眠、停機(jī)和待機(jī)模式
• 5V LDO 穩(wěn)壓器
– 輸入電壓最高13.5V
• 三組N 型半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器(GATE-DRIVER)
– 三相柵極驅(qū)動(dòng)器
– 支持電壓UVLO 保護(hù)
– 1A/1A SINK/SOURCE 三相柵極驅(qū)動(dòng)電流
• 96 位的芯片唯一ID（UID）
• 采用QFN32 封裝

MM32SPIN160C引腳
 
內(nèi)置的SRAM
內(nèi)置最大可到4K字節(jié)的靜態(tài)SRAM。
它可以以字節(jié)(8位)、半字(16位)或字(32位)進(jìn)行訪問。SRAM起始地址為0x20000000。
•數(shù)據(jù)總線上最大可到2K字節(jié)的SRAM。可以被CPU或者DMA用最快的系統(tǒng)時(shí)鐘且不
插入任何等待進(jìn)行訪問。
 
閃存主要特性
•高達(dá)32K字節(jié)閃存存儲(chǔ)器
閃存接口的特性為：
•帶預(yù)取緩沖器的數(shù)據(jù)接口(2×64位)
•選擇字節(jié)加載器
•閃存編程/擦除操作
•訪問/寫保護(hù)
•低功耗模式
 
FLASH讀操作
嵌入式Flash模塊可以像普遍存儲(chǔ)空間一樣直接尋址訪問。任何對(duì)Flash模塊內(nèi)容的讀操作都須經(jīng)過專門的判斷過程。
取指令和取數(shù)據(jù)都是通過AHB總線讀取訪問，能夠按照Flash訪問控制寄存器(FLASH_ACR)中得選項(xiàng)所指定的方式執(zhí)行：
•取指：預(yù)取值緩沖區(qū)使能后可提高CPU運(yùn)行速度
•潛伏期：等待位的個(gè)數(shù)，保證正確的讀取。


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