Microchip型號23LC512容量512Kbit串行SRAM，與現在許多MCU系列的串行外設接口端口連接。它還可以通過使用在固件中正確編程以匹配SPI協議的離散I/O線與沒有內置SPI端口的微控制器連接。23LC512還能夠在SDI/SQI高速SPI模式下工作。
 
Microchip微芯23LC512存儲器通過簡單的串行外設接口(SPI)兼容串行總線訪問。所需的總線信號是時鐘輸入(SCK)加上單獨的數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。通過芯片選擇(CS)輸入控制對器件的訪問。如果應用需要更快的數據速率，還支持SDI（串行雙接口）和SQI（串行四接口）。該器件還支持對存儲器陣列的無限制讀寫。23LC512采用標準封裝，包括8-引線SOIC、PDIP和先進的8引線TSSOP。更多產品相關信息可咨詢英尚微電子。
 
特征：
•SPI兼容總線接口：
-20MHz時鐘頻率
-SPI/SDI/SQI模式
•低功耗CMOS技術：
-讀取電流：3mA，5.5V，20MHz
-待機電流：+85℃時為4μm
•無限的讀寫周期
•零寫入時間
•64Kx8位組織：
-32字節頁面
•讀取和寫入的字節、頁和順序模式
•高可靠性
•支持的溫度范圍：
-工業(I)：-40℃至+85℃
-汽車(E)：-40℃至+125℃
•符合RoHS標準
•8引腳SOIC、TSSOP和PDIP封裝

串行SRAM是一種獨立的易失性存儲器，它提供了一種簡單且廉價的方式來為您的應用程序添加更多RAM。這些 8 引腳低功耗、高性能SRAM器件具有無限的耐用性和零寫入時間，使其成為涉及連續數據傳輸、緩沖、數據記錄、音頻、視頻、互聯網、圖形和其他數學和數據密集型應用的理想選擇職能。支持 SPI、SDI 和 SQI™ 總線模式。

本文關鍵詞：Microchip,串行SRAM,23LC512

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