MRAM芯片MR0A16AVMA35

2018-06-13 15:41:04

MRAM利用電子自旋的磁性提供快速而持久的非易失性存儲器。 MRAM將信息存儲在與硅電路集成的磁性材料中，以便將RAM的速度與Flash的非易失性相提并論。總部位于亞利桑那州錢德勒的Everspin擁有并運營著一條生產線，用于其磁性后端晶圓加工，采用鑄造廠生產的標準CMOS晶圓。Everspin Technologies是一家開發和制造磁性RAM或磁阻隨機存取存儲器（MRAM）的公共半導體公司，其中包括獨立和嵌入式MRAM產品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM），Everspin目前的MRAM產品基于180納米和130納米工藝， nm工藝技術節點和行業標準封裝。

Everspin科技公司一款并行MRAM芯片MR0A16AVMA35，由65,536字 x 16位構成，芯片的工作電壓為3.3V，封裝48-BGA球柵陣列封裝，工作溫度范圍-40 to +105C，具有高可靠性以及有無限的寫入周期及35ns讀寫時間和兼容SRAM周期，引腳布局采用現有的SRAM控制器，無需重新設計在工作溫度范圍內數據保持期長達20年以上而不會丟失，用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案，并消除了組裝電池以及可靠性問題和不利因素。典型的應用包括計算機存儲系統及服務器、工業自動化和機器人、電能管理、交通以及軍用/航空系統。35ns的快速讀/寫周期

產品型號參考如下：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃

本文關鍵詞：Everspin

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2018-06-13 15:41:04

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