據(jù)了解，三星電子于2017~2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預估共將投資約5兆韓元（約43.5億美元），以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。
                              

      Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產所需設備及人力費用。
      三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的20%，且現(xiàn)有設備的產量已達理論最大值。設備業(yè)者認為，三星西安廠啟動3年后的現(xiàn)在，以投入晶圓為基準計算，其3D NAND Flash晶圓月產能為12萬片。
專家推測，西安廠與韓國華城廠L12、L16并列三星NAND Flash三大生產據(jù)點，平澤廠將于2017年第1季正式稼動，加上西安廠第二期稼動后，三星勢必需調整其產能分配。半導體業(yè)界相關人士認為，三星3D NAND Flash未來生產很可能以大陸西安廠及韓國平澤廠為主，并將其目前最大NAND Flash工廠L12部分產能轉為生產系統(tǒng)LSI或DRAM等產品，逐漸降低NAND Flash產量。

                               

      DRAMeXchange分析三星產能移轉狀況，指出L12于2016年第4季晶圓月均產能達19萬片高峰后，2017年第1季預估為17萬片，第3季以后將減至12萬片；三星NAND Flash生產基地將階段性轉移至平澤廠及西安廠。
     專家指出，存儲芯片市場2017年起進入前所未有的超級周期（Super Cycle）是促使三星增加設備投資的主因。存儲器市場一般以3~4年為周期，交替出現(xiàn)熱況與萎縮，超級周期指出現(xiàn)長期熱絡的狀況。韓國存儲器業(yè)者表示，過去存儲器應用主要限于電腦、智能手機等裝置，可直接掌握市場需求變化，隨近來包括服務器、汽車、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網與人工智能（AI）等領域市場擴大，對NAND Flash需求也進一步提升。
    預估，2017年存儲器市場規(guī)模將達853億美元，較2016年773億美元成長10.3%，至2021年可望擴大至1099億美元的規(guī)模，年均成長率將達7.3%。

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